|
Diodo láser infrarrojo 808nm de 1000mW de potencia.
Empaquetado en montura tipo: C-mount
Especialmente indicado para aplicaciones como:
Balizas e iluminación
Equipos de comunicación
Fuente de luz de infrarroja
|
ESPEFICIFICACIONES TÉCNICAS
|
|
Características
|
Detalles
|
Unidades
|
|
Potencia
óptica
|
1000
|
mW
|
|
Clase
(según la norma IEC 60825-1)
|
IV
|
|
|
Longitud
de onda de emisión (λ)
|
808 (Infrarrojo)
|
|
|
Anchura
Espectral
|
≤ 2,5
|
nm
|
|
Modo de
funcionamiento
|
CW
(continuo)
|
|
|
Fabricante
|
Newwish
Optoelectronics Co., Ltd.
|
|
|
Modelo
|
SN808T1000
|
|
|
Voltaje
de funcionamiento:
|
≤ 2,2
|
VDC
|
|
Intensidad
de funcionamiento:
|
<1400
|
mA
|
|
Resistencia en serie:
|
≤ 0,6
|
Ω
|
|
Alcance
aproximado en la oscuridad
|
2-3
|
km
|
|
Tipo
de diodo láser de bombeo
|
AlGaAs
IR 808nm
|
|
|
Cavidad
láser
|
Recubrimiento
multicapa
|
|
|
Divergencia
|
>0,5
|
mrad
|
|
Modo
transversal electromagnético
|
≈ TEM00
|
|
|
Tiempo
de precalentamiento
|
<2,0
|
s
|
|
Temperatura
de operación
|
-10 ~ +55
|
°C
|
|
Temperatura
de almacenamiento
|
-40 ~ +85
|
°C
|
|
Vida
útil de funcionamiento:
|
>5000
|
h
|
|
Homologación
|
CE (Directiva 93/68/EEC)
|
|
Bajo pedido, tiempo de entrega aproximada: 15-20 días
  
|
